石英坩堝晶體里面含有氧，那么石英坩堝對晶體中的氧含量有什么影響？

　　1.單晶中氧的主要來(lái)源

　　因為直拉單晶硅的生長(cháng)需要利用高純石英坩堝，雖然坩堝的熔點(diǎn)要高于硅料的熔點(diǎn)，但是在高溫過(guò)程中，熔融的液態(tài)硅會(huì )侵蝕坩堝，從而導致少量的氧進(jìn)入晶體內部。在硅的熔點(diǎn)（1420℃）附近，溶硅與坩堝作用，生成SIO進(jìn)入硅溶體。然后經(jīng)過(guò)機械對流、熱對流等方式使SIO傳輸到熔體表面，因此到達硅熔體表面的SIO以氣體形式揮發(fā)，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形態(tài)存在于液體硅中，最終進(jìn)入晶體內，從而影響單晶的氧含量。

　　2.坩堝阻止氧含量釋放的措施。

　　氧主要來(lái)源于石英坩堝，因此如何最大限度降低坩堝中氧的釋放則是單晶降低氧含量的重要手段，而石英坩堝品質(zhì)的好壞直接關(guān)系到放含量的釋放程度。坩堝中氧的釋放過(guò)程實(shí)際上就是坩堝氣泡層穿透透明層向硅液中釋放氧的過(guò)程，而在坩堝內層燒結一層 3-5mm左右的透明層，從而既保證了坩堝內表面的純度，又不致于使坩堝軟化點(diǎn)過(guò)低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量好壞決定了坩堝氣泡的釋放程度。另一方面，現在的坩堝都是在坩堝內表面用氫氧化鋇進(jìn)行涂層，其目的就是減少硅液對坩堝的侵蝕程度，因此，氫氧化鋇的純度很大程度上影響著(zhù)坩堝內表面所生成的鋇離子結晶層的好壞。從而影響著(zhù)坩堝內氧含量的釋放。