石英坩堝尺寸大小的確立
發(fā)布日期:2017-02-15 11:53 來源:http://www.jgehuv.cn 點(diǎn)擊:
石英坩堝尺寸大?。ɑ蛉莘e大?。┑拇_定取決于晶體生長的直徑和長度,同時(shí)還要考慮拉晶工藝中對堝、晶直徑比的要求。一般竭、晶直徑比以3:1為佳。今天我們石英加工廠家就來詳細(xì)的為您介紹一下石英儀器大小尺寸的確立吧!
1、其理由是它與熔液直接接觸,熔硅與石英坩堝的sio:反應(yīng)生成sio后,它同時(shí)向熔體內(nèi)部擴(kuò)散和向熔體表面揮發(fā)。
最后有一部分到達(dá)固一液界面附近,混入到正在生長的晶體中去,從而使單晶體中的氧含量增高。低溫水槽采取較大的渦、晶直徑比,將有利于氧的大量揮發(fā)。
2、因此當(dāng)拉制直徑為8 0mrn、長度為7. 000mm硅單晶時(shí),我們確定增渦的直徑為中224mm,高度為190mm.根據(jù)石英的機(jī)械性質(zhì)川:抗壓強(qiáng)度為8004一8500 (WC kg/cm2),抗拆強(qiáng)度為710一1040(200C kg/cm‘),石英坩堝抗彎強(qiáng)度為700一1100 (200C kg/cml),抗扭強(qiáng)度為304一600 (20cc kg/cml),為此,我們選擇柑im的厚度為4mm,這樣就能承受住12Kg以上的Si料。
3、同時(shí)為了使單晶生長到達(dá)底部時(shí),仍能保持其原有的竭、晶直徑比(3:I)和盡量減少坩堝中剩料,以提高單晶的成品率和回收率,為此確定使用平底柑塌。
1、其理由是它與熔液直接接觸,熔硅與石英坩堝的sio:反應(yīng)生成sio后,它同時(shí)向熔體內(nèi)部擴(kuò)散和向熔體表面揮發(fā)。
最后有一部分到達(dá)固一液界面附近,混入到正在生長的晶體中去,從而使單晶體中的氧含量增高。低溫水槽采取較大的渦、晶直徑比,將有利于氧的大量揮發(fā)。
2、因此當(dāng)拉制直徑為8 0mrn、長度為7. 000mm硅單晶時(shí),我們確定增渦的直徑為中224mm,高度為190mm.根據(jù)石英的機(jī)械性質(zhì)川:抗壓強(qiáng)度為8004一8500 (WC kg/cm2),抗拆強(qiáng)度為710一1040(200C kg/cm‘),石英坩堝抗彎強(qiáng)度為700一1100 (200C kg/cml),抗扭強(qiáng)度為304一600 (20cc kg/cml),為此,我們選擇柑im的厚度為4mm,這樣就能承受住12Kg以上的Si料。
3、同時(shí)為了使單晶生長到達(dá)底部時(shí),仍能保持其原有的竭、晶直徑比(3:I)和盡量減少坩堝中剩料,以提高單晶的成品率和回收率,為此確定使用平底柑塌。